Semiconductores: Termodiodo
Tarea experimental: Estudio operacional del proceso de funcionamiento de un Termodiodo
Autor de Applet:

Jean-Jacques ROUSSEAU, http://www.univ-lemans.fr/enseignements\physique\02\index.html

Actividades

En primera aproximación, la corriente directa de un diode se da por la fórmula de Schockley d  = CT3exp(Eg/kT)exp(eU/kT)

Donde C es una constante del material, T es la temperatura absoluta, k la constante de Boltzmann (1,38.10-23 J/K), Eg la tensión de hueco (1,14 V para silicio) y U la tensión directa aplicada.

Si la corriente directa es constante, tensión que U directo es por consiguiente apreciablemente los U forman = - a + b.

Un diodo nutrido por un generador constante (o un generador de tensión en la serie con una resistencia grande) constituye un dispositivo thermométrique por consiguiente es sensible (aproximadamente 2 mV/K) y prácticamente lineal. La corriente directa se toma bastante débil (aproximadamente 5 MA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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